深圳市百诺芯科技有限公司

FP50R12KT3产品参数：

产品：    IGBT Silicon Modules

配置：    Hex

集电极—发射极电压 VCEO： 1200 V

在25 C的连续集电极电流： 75 A

工作温度：     + 125 C

封装 / 箱体：  Econo 3

商标：    Infineon Technologies

栅极/发射极电压：   +/- 20 V

工作温度：     - 40 C

安装风格：  Screw

工厂包装数量：     10

IGBT 模块方法

IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

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