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发布时间： 2018/7/24 10:22:59 | 441 次阅读
型号：IPD135N03LG
品牌：Infineon
封装:TO-252
PCN Obsolescence：Multiple Devices 19/Mar/2010
标准包装：1
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 单
系列：OptiMOS™
包装：剪切带 (CT)FET
类型：MOSFET N 通道，
金属氧化物FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：13.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1000pF @ 15V
功率 - 值：31W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3
其它名称：IPD135N03LGINCT
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