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发布时间: 2018/9/12 9:57:47 | 529 次阅读
型号:NTHD4N02FT1G
品牌:ON
封装:SSOP8
PCN Obsolescence:Multiple Devices 21/Jan/2010
标准包装:3,000
类别:分立式导体产品
家庭:FET - 单
系列:-
包装:带卷 (TR)
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):2.9A (Tj)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值):80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(值):1.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):300pF @ 10V
功率 - 值:910mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商器件封装:ChipFET™
其它名称:NTHD4N02FT1GOS
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