深圳市百诺芯科技有限公司

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：40 V

闸/源击穿电压：+/- 20 V

漏极连续电流：180 A

导通电阻：1.6 mOhms

配置：Single Quint Source

工作温度：+ 175 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：TO-263

封装：Reel

商标：Infineon Technologies

下降时间：18 ns

工作温度：- 55 C

功率耗散：300 W

上升时间：19 ns

系列：xPB180N04

工厂包装数量：1000

典型关闭延迟时间：57 ns

零件号别名：IPB180N04S302ATMA1 SP

诚信经营 质量保证

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