相关证件: 
会员类型:
会员年限:6年
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Hex
集电极—发射极电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.15 V
在25 C的连续集电极电流:105 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:355 W
工作温度:+ 125 C
封装 / 箱体:Econo 3
商标:Infineon Technologies
栅极/发射极电压:+/- 20 V
工作温度:- 40 C
安装风格:Screw
工厂包装数量:10
本司是一家从事集成电路配套的供应商,在本行拥有多年的销售经验!
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Infineon IGBT 模块Infineon IGBT 模块Infineon IGBT 模块